Samsung Develops Industry’s First DDR4 DRAM, Using 30nm Class Technology

Samsung Electronics Co., Ltd, a global leader in advanced semiconductor technology solutions, announced today that it completed development of the industry’s first DDR4 DRAM module last month, using 30 nanometer (nm) class process technology.

“Samsung has been actively supporting the IT industry with our green memory initiative by coming up with eco-friendly, innovative memory products providing higher performance and power efficiency every year,” said Dong Soo Jun, president, memory division, Samsung Electronics. “The new DDR4 DRAM will build even greater confidence in our cutting-edge green memory, particularly when we introduce four-gigabit (Gb) DDR4-based products using next generation process technology for mainstream application.”



The new DDR4 DRAM module can achieve data transfer rates of 2.133 gigabits per second (Gbps) at 1.2V, compared to 1.35V and 1.5V DDR3 DRAM at an equivalent 30nm-class* process technology, with speeds of up to 1.6Gbps. When applied to a notebook, it reduces power consumption by 40 percent compared to a 1.5V DDR3 module.

The module makes use of Pseudo Open Drain (POD), a new technology that has been adapted to high-performance graphic DRAM to allow DDR4 DRAM to consume just half the electric current of DDR3 when reading and writing data.

By employing new circuit architecture, Samsung’s DDR4 will be able to run from 1.6 up to 3.2Gbps, compared to today’s typical speeds of 1.6Gbps for DDR3 and 800Mbps for DDR2.

Late last month, Samsung provided 1.2V 2 gigabyte (2GB) DDR4 unbuffered dual in-line memory modules (UDIMM) to a controller maker for testing.

Samsung now plans to work closely with a number of server makers to help insure completion of JEDEC standardization of DDR4 technologies in the second half of this year.

Samsung has been leading the advancement of DRAM technology ever since it developed the industry’s first DDR DRAM in 1997. In 2001, it introduced the first DDR2 DRAM, and in 2005, announced the first DDR3 DRAM using 80nm-class technology.

For more information about Samsung Green memory, visit www.samsung.com/GreenMemory.





أعلنت الشركة العريقة Samsung وهي الرائدة في صناعة تكنولوجيا شبه الموصلات
أن العمل علي تطوير شرائح ذاكرة من نوع DDR4 قد تم والتي تم أستخدام دقة تصنيع 30nm
في تطويرها
الشريحة الجديدة من DDR4 تستطيع نقل البيانات بسرعة 2.133GbPs
بأستخدام فولت 1.2v مقارنة بالفولت المستخدم في DDR3 والذي يتراوح ما بين 1.35v و 1.5v
الشريحة الجديدة تستخدم تكنولوجيا POD* أو Pseudo Open Drain وهي تقوم بالعمل مع
الشرائح الرسومية عالية الأداء لتتيح لشرائح DDR4 أستهلاك نصف التيار الكهربي
أو الطاقة التي تستهلكها شرائح DDR3 عند قراءة وكتابة البيانات
و بالعمل علي هذه المعامرية الجديدة , ستعمل شرائح الذاكرة DDR4 الجديدة الخاصة بـSamsung
بسرعة تتراوح بين 1.6 الي 3.2 *Gbps بالمقارنة بشرائح DDR3 الموجودة حاليا والتي تعمل بسرعة
1.6 Gbps

في الشهر الفائت Samsung قامت بأنتاج شريحة DDR4 بتكنولجيا UDIMM* سعة 2GB فولت 1.2v
للأختبار
Samsung الأن تخطط للعمل عن قرب مع مصنعي الخوادم أو الServers
للمساعدة في تأمين أكتمال معيار JEDEC* الخاص بـDDR4
في غضون النصف الثاني من العام الحالي

الجدير بالذكر ان Samsung هي الرائدة في عالم صناعة شرائح الذاكرة منذ عام 1997
عند الأعلان عن أول شريحة DDR وفي عام 2001 قدمت Samsung قدمت أول شريحة ذاكرة DDR2
وفي عام 2005 أول شريحة DDR3 والتي تستخدم دقة تصنيع 80nm


بعض المصطلحات الوارد ذكرها في الموضوع والتي أردت توضيحها لأنها قد تكون جديدة للبعض

Gbps = Gigabit per second
وهي سرعة نقل البيانات وهي تساوي 1.000.000 بت في الثانية الواحدة

JEDEC = Joint Electron Device Engineering Council
أو مجلس هندسة الألكتنرونات المشتركة وهي تسمي الأن
JEDEC Solid State Technology Association
أو جميعة تكنولوجيا الحالة الصلبة

وهي منظمة معايرة شبه الموصلات أو Semiconductors التابعة لحلف الصناعات الألكترونية
EIA